SDRAM 工作原理和S3C2410 SDRAM 扩展控制器配置方法 SDRAM 的工作原理、控制时序、及相关控制器的配置方法一直是嵌入式系统学习、开发过程中的一个难点。掌握 SDRAM 的知识对硬件设计、编写系统启动代码、提高系统存取效率、电源管理都有一定的意义。本文想通过： 1.SDRAM 的工作原理。 2.HY57V561620 SDRAM 介绍。 3.S3C2410 和HY57V561620 的接线方法。 4.S3C2410 SDRAM 控制器的配置方法。 5.SDRAM 控制时序分析 这 5 个方面来帮助初学者了解 SDRAM。 一、SDRAM 的工作原理 SDRAM 之所以成为 DRARM 就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是 DRAM 最重要的操作。 那么要隔多长时间重复一次刷新呢？目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是 64ms（毫秒，1/1000 秒），也就是说每一行刷新的循环周期是 64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms。我们在看内存规格时，经常会看到 4096 Refresh Cycles/64ms 或 8192 Refresh Cycles/64ms 的标识，这里的4096 与 8192 就代表这个芯片中每个 Bank 的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096 行时为 15.625μs（微秒，1/1000 毫秒），8192 行时就为 7.8125μs。HY57V561620 为 8192 refresh cycles / 64ms。 SDRAM 是多 Bank 结构，例如在一个具有两个 Bank 的SDRAM 的模组中，其中一个 Bank在进行预充电期间，另一个 Bank 却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电 Bank 的数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。 为了实现这个功能，SDRAM 需要增加对多个 Bank 的管理，实现控制其中的Bank 进行预充电。在一个具有 2 个以上 Bank 的SDRAM 中，一般会多一根叫做 BAn 的引脚，用来实现在多个 Bank 之间的选择。 SDRAM 具有多种工作模式，内部操作是一个复杂的状态机。SDRAM 器件的引脚分为以下几类。 （1）控制信号：包括片选、时钟、时钟使能、行列地址选择、读写有效及数据有效。 （2）地址信号：时分复用引脚，根据行列地址选择引脚，控制输入的地址为行地址或列地址。。 （3）数据信号：双向引脚，受数据有效控制。 SDRAM 的所有操作都同步于时钟。根据时钟上升沿控制管脚和地址输入的状态，可以产生多种输入命令。 模式寄存器设置命令。 激活命令。 预充命令。 读命令。 ...
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