设计指标：AV>250，Ri≥10kΩ，RL=5.1kΩ，BW=50Hz~50kHz，D<5%。设计条件：输入信号（正弦信号）：2mV≤Vi≤5mV，信号源内阻：Rs=50Ω，电源电压：VCC=12V；半导体三极管9013，参数：β=100，rbb’=300Ω，Cμ=5pF，fT=150MHz，3V≤VCC≤20V，PCM=625mW，ICM=500mA，V(BR)CEO=40V。1．电路选型：小信号放大电路选用如图1所示两级阻容耦合放大电路，偏置电路采用射极偏置方式，为了提高输入电阻及减小失真，满足失真度D<5%的要求，各级射极引入了交流串联负反馈电阻。2．指标分配：要求AV>250，设计计算取AV=300，其中T1级AV1=12，AV2=25；Ri≥10kΩ要求较高，一般，T1级需引入交流串联负反馈。3．半导体器件的选定指标中，对电路噪声没有特别要求，无需选低噪声管；电路为小信号放大，上限频率fH=50kHz，要求不高，故可选一般的小功率管。现选取NPN型管9013，取β=100。4．各级静态工作点设定动态范围估算：T1级：T2级：，为避免饱和失真，应选：；可见T1级VCEQ1可选小些，T2级VCEQ2可选大些。T1级静态工作点确定：T2级静态工作点确定：一般应取，选：5．偏置电路设计计算（设）T1级偏置电路计算：故：取标称值120kΩ选120kΩ/取标称值62kΩ选62kΩ/取标称值9.1kΩ选9.1kΩ/T2级偏置电路计算：故：取标称值68kΩ选68kΩ/取标称值36kΩ选36kΩ/取标称值3.9kΩ选3.9kΩ/6．静态工作点的核算T1级：符合设计要求。符合设计要求。7．电容器的选择C1：C2：C3：Ce1：取Ce1=47μF选Ce147μF/16VCe2：取Ce2=47μF选Ce247μF/16V8.指标核算Ri=18..7kΩ>10kΩ满足设计要求RL1=Ri2=6.1kΩ满足设计指标要求。核算、：：：
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