CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。常用的半导体材料为何答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(VeryLargeScaleIntegration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(ChemicalVaporDep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-MetalDielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-MetalDielectric)答：金属层间介电质层。何谓USG答：未掺杂的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)何谓FSG答：掺杂氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)何谓BPSG答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)何谓TEOS答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpointdetector之作用原理.答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些答：有不锈钢制(StainlessSteal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何答：告知所有的人勿操作机台，避免危险机台维修至少两人配合，有何目的答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)半导体业常用真空单位是什幺答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.WaferScrubber的功能为何答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。蚀刻种类:答：(1)干蚀刻(2)湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide,metal半导体中一般金属导线材质为何答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)答：Oxideetchandnitrideetch半导体中一般介电质材质为何答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching(蚀刻不足)答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching(过蚀刻)答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etchrate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning(陈化处理)答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。Asher的主要用途:答：光阻去除Wetbenchdryer功用为何答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wetbenchdry方法:答：(1)SpinDryer(2)...
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