填空题解答题1、请给出NMOS晶体管的阈值电压公式，并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响（即各项在不同情况下是提高阈值还是降低阈值）。【答案：】2、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响【答案：】器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当Vgs0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。5、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响【答案：】MOS晶体管存在速度饱和效应。器件工作时，当漏源电压增大时，实际的反型层沟道长度逐渐减小，即沟道长度是漏源电压的函数，这一效应称为“沟道长度调制效应”。影响：当漏源电压增加时，速度饱和点在从漏端向源端移动，使得漏源电流随漏源电压增加而增加，即饱和区D和S之间电流源非理想。6、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）【答案：】晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，呈现非饱和特性；而当漏源电压超过一定值时，由于载流子速度饱和（短沟道）或者沟道夹断（长沟道），其漏源电流基本不随漏源电压发生变化，产生饱和特性。7、给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值【答案：】Vin>1为使VOL→0，要求KNRL>>13）Vin=VIL时,MI：VGS=Vin=VILVDS=Vout∴VDS>VGS-VT0MI饱和导通IR=(VDD-Vout)/RLIM=1/2KN(VGS-VT0)2=1/2KN(Vin-VT0)2 IM=IR，对Vin微分，得：-1/RL(dVout/dVin)=KN(Vin-VT0) dVout/dVin=-1∴VIL=Vin=VT0+1/KNRL∴此时Vout=VDD-1/2KNRL4）Vin=VIH时,MI：VGS=Vin=VIHVDS=Vout∴VDS
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