MOSFET设计选型指导1、目的：...................................................................................................................................................22、适用范围：........................................................................................................................................23、背景说明：........................................................................................................................................23.1制作MOSFET指导书的必要性：.....................................................................................23.2MOSFET的内部结构图及封装图：................................................................................23.3瑞谷MOSFET类别（简介范围）：...................................................................................34、MOSFET知识介绍......................................................................................................................34.1MOSFET工作原理图............................................................................................................34.2MOSFET类型和主要特性.....................................................................................................54.3主要参数介绍及定义..............................................................................................................54.3.1最大额定参数............................................................................................................................54.3.2静态电特性................................................................................................................................104.3.3动态电特性................................................................................................................................115、运放案例分析:...............................................................................................................................126、器件设计选型注意事项............................................................................................................141、目的：提升技术人员对MOSFET器件的了解水准，并通过后续不断升级和完善,可形成具有实际指导性的文件；避免电路设计不匹配，器件选型、器件替代错乱等等；2、适用范围：本指导书适用于对MOSFET知识学习，设计选型号及替代。3、背景说明：3.1制作MOSFET指导书的必要性：在2010年MOSFET出现了两个品牌失效：客户端IPS品牌失效：2010年，AP54在客户端失效MOSFET超过40PCS，该器件为IPS品牌型号FTA06N65，规格650V6.5A；生产线AOS品牌失效：2010年九月份，AP54产品在手动OVP测试时，一天时间失效了10PCSMOSFET，品牌：AOS，型号：AOTF7N65，规格：650V7A；除了OVP工位外，其他测试工位也有零星失效；针对出现的这些问题，我们不仅要立即处理失效品保证正常生产出货，更重要的是怎样做到预防和避免。因此，制定MOSFET设计选型指导书很有必要；3.2MOSFET的内部结构图及封装图：（举例）3.3目前瑞谷MOSFET类别（简单介绍）：TO-220：40V/202A---800V/11ASO-8：12V/25A---200V/4ADPAK：30V/90A----800V/3AD2PAK：30V/90A---500V/12ATO-3P：200V/42A—900V/11A4、MOSFET知识介绍4.1MOSFET工作原理图：图1MOSFET（N沟增强型）结构图2Vgs=0栅极G无感应电荷图3Vgs〉0产生电场图4Vgs增大,形成耗尽层图5Vgs继续增大吸引衬底电子图6Vgs=Vt衬底电子形成反型层，反型层即导电沟道图7Vgs>VTVds>0产生Id图8Vds不变，Vgs增加Id增加图9Vds大于夹断电压Id饱和，Vgs不变，Vds增加Id增加电流不再随Vds增加而增加4.2MOSFET类型和主要特性N-MOSET：增强型—耗尽型--P-MOSET：增强型--耗尽型--上图转移特性...
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