第10章具有51内核的8位单片机简介第10章具有51内核的8位单片机简介10.1AT89C系列单片机10.28XC51系列单片机10.38XC552系列单片机第10章具有51内核的8位单片机简介10.1AT89C系列单片机10.1.1AT89C2051主要性能（1）与MCS-51兼容;（2）内部带2KB可编程闪速存储器;（3）寿命为1000次擦/写循环;（4）数据保留时间为10年;（5）工作电压范围为2.7V~6V;（6）全静态工作频率为0Hz~24Hz;第10章具有51内核的8位单片机简介（7）两级程序存储器锁定;（8）128×8位内部RAM;（9）15条可编程I/O线;（10）2个16位定时器/计数器;（11）5个两级中断源;（12）可编程全双工串行UART通道;（13）直接对LED驱动输出;（14）片内精确的模拟比较器;（15）片内振荡器和时钟电路;（16）低功耗的休眠和掉电模式。第10章具有51内核的8位单片机简介10.1.2AT89C2051内部结构及引脚描述图10.1AT89C51内部结构第10章具有51内核的8位单片机简介图10.2AT89C2051引脚配置第10章具有51内核的8位单片机简介表10.1P3口特殊功能第10章具有51内核的8位单片机简介10.1.3特殊功能寄存器SFR表10.2AT89C2051的SFR第10章具有51内核的8位单片机简介10.1.4程序存储器的加密表10.33种锁定位保护模式第10章具有51内核的8位单片机简介10.1.5低功耗工作方式1）待机方式（休眠方式）当利用软件使待机方式位IDL（PCON.0）=0时,单片机进入空闲方式。此时,CPU处于休眠状态,而片内所有其它外围设备都保持工作状态,片内RAM和所有特殊功能寄存器内容保持不变。在待机方式下,当晶振fOSC=12MHz,电源电压VCC=6V时,电源电流ICC从20mA降至5mA;而VCC=3V时,ICC由5.5mA降至1mA。中断或硬件复位可以终止待机方式。第10章具有51内核的8位单片机简介当待机方式由硬件复位终止时,CPU要从休眠处恢复程序的执行,执行2个机器周期后,内部复位电路才起作用。此时,硬件禁止访问内部RAM,但允许访问端口引脚。为了防止休眠被复位终止时对端口引脚意外写入的可能性,在生成待机方式的指令后不应紧跟对端口引脚的写指令。如果不采用外部上拉,P1.0和P1.1应置“0”;如果采用外部上拉,则应置“1”。第10章具有51内核的8位单片机简介2）掉电方式掉电方式由掉电方式位PD（PCON.1）=1设置。此时,振荡器停止工作,设置掉电方式的指令成为最后执行的一条指令,片内RAM和特殊功能寄存器内容保持不变。在掉电方式下,VCCmin=2V。当VCC=6V时,ICCmax=100μA;当VCC=3V时,ICCmax=20μA。退出掉电方式的唯一方式是硬件复位。硬件复位将重新定义特殊功能寄存器,但不影响片内RAM。复位的保持时间应足够长,以便振荡器能重新开始工作并稳定下来。在VCC没有恢复到正常工作电压之前,不应进行复位。如果不采用外部上拉,P1.0和P1.1应置“0”,否则置“1”。第10章具有51内核的8位单片机简介10.1.6闪速存储器的编程图10.3编程闪速存储器第10章具有51内核的8位单片机简介图10.4闪速存储器编程和校验时序第10章具有51内核的8位单片机简介表10.45种编程模式第10章具有51内核的8位单片机简介一、编程（写代码数据）AT89C2051编程按下述步骤进行:（1）上电过程:VCC加电,置RST为“L”（低电平）,XTAL1为“L”,其它所有引脚悬空,等待10ms以上;(2）置RST为“H”（高电平）,P3.2为“H”;(3）在引脚P3.3、P3.4、P3.5、P3.7上施加相应的逻辑电平,选定基本编程模式;第10章具有51内核的8位单片机简介(4）地址信号由内部地址计数器提供（初始值为000H）,欲写入该地址中的数据加至引脚P1.0～P1.7上;(5）将RST电平升至12V启动编程;(6）给P3.2施加一负脉冲,则编程内部存储器阵列或锁定位的1个字节,字节写周期采用自定时,通常为1.2ms;(7）若要校验已编程数据,将RST从12V降至逻辑电平“H”,并置引脚P3.3～P3.7为校验模式电平,输出数据即可在P1口读取;(8）编程下一个地址字节,对XTAL1施加一正脉冲,内部地址计数器加1,然后在P1口上加载欲写入的新数据;第10章具有51内核的8位单片机简介(9）重复步骤（5）～（8）,改变数据,递增地址计数器直到2KB存储阵列全部编程或目标文件结束;(10）下电过程:置XTAL1为“L”,RST为“L”,其它I/O引脚悬空,VCC下电。当前次...
VIP
