变 频 器 讲 义第一章：变频调速基础知识1）关于调速 n=60f/p(1-s)p---变极调速 特点：有级调速，系统简单，最多 4 段速s---调压调速、转子串电阻调速 特点：无级调速，调速围窄电机最大出力能力下降，效率低，系统简单，性能较差。f---变频调速 特点：真正无级调速，调速围宽，电机最大出力能力不变，效率高,系统复杂，性能好，可以和直流调速系统相媲美。2）变频技术沟通变频是强弱电混合综合性技术，既要处理大电能的转换（整流、逆变），又要处理信息的收集、变换和传输，因此它的技术分成功率转换和弱电控制两大部分。前者要解决与高压大电流变流技术有关的问题和新型电力电子器件的应用技术问题，后者要解决基于现代控制理论的控制策略和智能控制策略的硬、软件开发问题，目前广泛应用的是全数字控制技术。变频器的控制对象：三相沟通异步电机和三相沟通同步电机，标准适配电机极数是 2/4 极。3）变频调速的进展历程 P7大功率半导体技术：70 年代：可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称，也称晶闸管。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、逆变以与无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。 单向可控硅用于直流电路，也是可控整流电子元件（相当于可控制输出的二极管）；双向可控硅可用于交、直流电路。GTR 是三极管的一种，Giant Transistor，巨型晶体管由于可工作在高电压、高电流下，也称电力晶体管。BJT 也是三极管的一种，Bipolar Junction Transistor，双极型面接触晶体管。80 年代以后：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V 与以上的变流系统如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。脉冲宽度调制技术：PWM (Pulse Width Modulation) 即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效的获得所需要的波形（含形状和幅值）出现了多种 PWM 技术，其中包括：相电压控制 PWM...
