镀通孔7.1 製程目的 雙面板以上完成鑽孔後即進行鍍通孔(Plated Through Hole , PTH)步驟，其目的使孔壁上之非導體部份之樹脂及玻纖束進行金屬化( metalization ), 以進行後來之電鍍銅製程,完成足夠導 電及焊接之金屬孔壁。 1986 年，美國有一家化學公司 Hunt 宣佈 PTH 不再需要傳統的貴金屬及無電銅的金屬化製程,可用碳粉的塗佈成為通電的媒介，商名為"Black hole"。之後陸續有其他不同 base 產品上市, 國內使用者非常多. 除傳統 PTH 外, 直接電鍍(direct plating)本章節也會述及. 7.2 製造流程 →→去毛頭除膠渣PTHa 一次銅7.2.1. 去巴里 (deburr) 鑽完孔後,若是鑽孔條件不適當,孔邊緣有 1.未切斷銅絲 2.未切斷玻纖的殘留,稱為 burr.因其要斷不斷,而且粗糙,若不將之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此鑽孔後會有 de-burr 製程.也有 de-burr 是放在 Desmear 之後才作業.一般 de-burr 是用機器刷磨,且會加入超音波及高壓沖洗的應用.可參考表 4.1 . 7.2.2. 除膠渣 (Desmear) A.目的: a. Desmear b. Create Micro-rough 增加 adhesion B. Smear 產生的原因: 由於鑽孔時造成的高溫 Resin 超過 Tg 值，而形成融熔狀，終致產生膠渣。 此膠渣生於內層銅邊緣及孔壁區，會造成 P.I.(Poor lnterconnection) C. Desmear 的四種方法: 硫酸法(Sulferic Acid) 、電漿法(Plasma)、鉻酸法(Cromic Acid) 、 高錳酸鉀法(Permanganate). a. 硫酸法必須保持高濃度，但硫酸本身為脫水劑很難保持高濃度，且咬蝕出的孔面光滑無 微孔，並不適用。 b. 電漿法效率慢且多為批次生產，而處理後大多仍必須配合其他濕製程處理，因此除非生 產特别板大多不予採用。 c. 鉻酸法咬蝕速度快，但微孔的產生並不理想，且廢水不易處理又有致癌的潛在風險，故 漸被淘汰。 d. 高錳酸鉀法因配合溶劑製程，可以產生微孔。同時由於還原電極的推出，使槽液安定性獲得較佳控制，因此目前較被普遍使用。7.2.2.1 高錳酸鉀法(KMnO4 Process): A.膨鬆劑(Sweller): a. 功能:軟化膨鬆 Epoxy ，降低 Polymer 間的鍵結能，使 KMnO4 更易咬蝕形成 Micro-rough 速 率 作 用 Concentration b. 影響因素: 見圖 7.1 c. 安全:不可和 KMnO4 直接混合，以免產生強烈氧化還原，發生火災。 d. 原理解釋: (1) 見圖 7.2 初期溶出可降低較弱的鍵結，使其鍵結間有了明顯的差異。若浸泡過長，強...
