电子知识3D 封装(5)随着国际电子信息行业新的变革，3D 封装蓬勃兴起。为了在封装之内硬塞进更多功能，芯片制造商被推到了极限。此外，我们不能忘记更加棘手的互连问题。采用 Z 方向封装，或者说 3D 芯片封装是很好很合理的解决方式。3D 封装的出现，改变了以往先封装后组装的模式，使封装工艺与前道工艺紧密地结合在一起。为了延续摩尔定律的增长趋势，芯片技术已进入“超越摩尔定律”的 3D 集成时代。以模块化封装，晶圆级封装和硅通孔技术为标准的 3D 封装集成技术将加速 CMOS 晶圆厂的合并、以及向无晶圆厂模式转变的趋势，最终 3D 封装技术与 SMT 技术合二为一。3D 封装发展中的难题：1，减薄：减薄技术面临的首要挑战就是超薄化工艺所要求的＜50μm 的减薄能力。2,3D-TSV 面临通孔的刻蚀问题。3，质量评价与检测技术相关设备。4，实时工艺过程的实时检测问题：这一问题会导致出现高损耗。3D 技术遇到的这些问题现已经解决。电子发烧友们已经研究出了相应的解决方法与仪器。许多公司都在寻求密度更高的 3D 芯片封装。Amkor、IBM、IMEC、Intel、QimondaAG、Samsung,STATSChipPAC、Tessera、德州仪器、Tezzaron、Xanoptix、Ziptronix 以及 ZyCube 都在研究3D 芯片封装。例如，先进半导体组装和测试服务提供商 Amkor 技术公司，以及位于比利时的非赢利性的纳米电子和纳米技术研究中 IMEC,达成了一个为期两年的合作协议，开发成本效益高的 3D 集成技术，此技术将基于晶圆级处理技术。另外 IBM 和 3M 公司计划联合开发粘合剂把半导体封装为密集地叠放的芯片塔一 3D 封装。使用这种芯片将提高智能手机、平板电脑、计算机和游戏设备的速度。估计将实现提速 1000 倍。可见 3D 封装技术正一步步走向成熟，正慢慢的成为封装技术的首选。小编相信 3D 封装会在检测仪器与接口器件等领域掀起一股革新的潮流，必将为封装技术的发展做出巨大的贡献。IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/OBUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，...
