・名词解释（2x5=10）+简答与画图（8x10=80）+计算（1x10=10）名词解释p 型和 n 型半导体漂移和扩散简并半导体异质结量子隧穿耗尽区阈值电压CMOS欧姆接触肖特基势垒接触简答与画图1.从能带的角度分析金属、半导体和绝缘体之间的区别。2.分析 pn 结电流及耗尽区宽度与偏压的关系。3.什么是 pn 结的整流（单向导电）特性？画出理想 pn 结电流-电压曲线示意图。4.BJT 各区的结构有何特点？为什么？5.BJT 有哪几种工作模式，各模式的偏置情况怎样？6.画出 p-n-pBJT 工作在放大模式下的空穴电流分布。7.MOS 二极管的金属偏压对半导体的影响有哪些？8.MOSFET 中的沟道是多子积累、弱反型还是强反型？强反型的判据是什么？9.当 VG 大于 VT 且保持不变时，画出 MOSFET 的 I-V 曲线，并画出在线性区、非线性区和饱和区时的沟道形状。10. MOSFET 的阈值电压与哪些因素有关？11. 半导体存储器的详细分类是怎样的？日常使用的 U 盘属于哪种类型的存储器，画出其基本单元的结构示意图，并简要说明其工作原理。12.画出不同偏压下，金属与 n 型半导体接触的能带图。13. 金属与半导体可以形成哪两种类型的接触？MESFET 中的三个金属-半导体接触分别是哪种类型？14. 对于一耗尽型 MESFET，画出 VG=0,-0.5,-1V（均大于阈值电压）时的 I-V 曲线示意图。15. 画出隧道二极管的 I-V 曲线，并画出电流为谷值时对应的能带图。16. 两能级间的基本跃迁过程有哪些，发光二极管及激光器的主要跃迁机制分别是哪种？计算Pn 结的内建电势及耗尽区宽度T=300KSi:,GaAs:,,,Si:GaAs:,1. 计算一砷化镓 p-n 结在 300K 时的内建电势及耗尽区宽度，其NA=10i8cm-3和 ND=10i6cm-3.AD=1.29V=0.596|jm2. 一砷化镓单边突变结，其 NA=10i9cm-3,ND=10i5cm-3,计算在反向偏压 20V 时的最大内建电场(T=300K).=5.238|jm=7.64x104V/cm3. 对一砷化镓突变结，其中 NA=2x10i9cm-3,ND=8x10i5cm-3,计算零偏压和反向偏压 4V 时的结电容(T=300K)．=1.34V=0.48|jm(0V),0.96|jm(-4V)=2.29x10-8F/cm2(0V),1.14x10-8F/cm2(-4V)4. 对于硅 p+-n 单边突变结，其 ND=5x10i7cm-3，计算其击穿电压。设其临界电场为 6.2x105V/cm.=2.53V5. 已知在一理想晶体管中，各电流成分为：IEp=4mA、IEn=0.02mA、ICp=3・95mA、ICn=0.002mA。求共射电流增益 B0及【CEO 的值。=0.983eICBO=0-34MA=57.8=20|JA6. 一 p-n-p 硅晶体管其射、基、集电极掺杂浓度分别为5x10...
