电脑桌面
添加小米粒文库到电脑桌面
安装后可以在桌面快捷访问

N型宏孔硅光电化学腐蚀的电流自动控制技术研究的开题报告

N型宏孔硅光电化学腐蚀的电流自动控制技术研究的开题报告_第1页
精品文档---下载后可任意编辑N 型宏孔硅光电化学腐蚀的电流自动控制技术讨论的开题报告【摘要】本讨论的目的是探究一种电流自动控制技术,以提高 N 型宏孔硅光电化学腐蚀的加工精度。首先介绍了光电化学腐蚀的基本原理以及其在微纳加工中的应用。然后阐述了 N 型宏孔硅的制备方法和光电化学腐蚀过程,指出了电流自动控制技术的重要性。接着介绍了常见的电流控制方法,并分析了优缺点。最后,提出了基于 PID 算法和 LabVIEW 平台的电流自动控制系统设计方案。【关键词】光电化学腐蚀;N 型宏孔硅;电流自动控制;PID 算法;LabVIEW【Abstract】The purpose of this study is to explore a current automatic control technology to improve the processing accuracy of N-type macroporous silicon photoelectrochemical etching. Firstly, the basic principle of photoelectrochemical etching and its application in micro-nano processing are introduced. Then the preparation method and photoelectrochemical etching process of N-type macroporous silicon are described, and the importance of current automatic control technology is pointed out. Next, common current control methods are introduced and analyzed their advantages and disadvantages. Finally, a design scheme of current automatic control system based on PID algorithm and LabVIEW platform is proposed.【Keywords】 Photoelectrochemical etching; N-type macroporous silicon; Current automatic control; PID algorithm; LabVIEW

1、当您付费下载文档后,您只拥有了使用权限,并不意味着购买了版权,文档只能用于自身使用,不得用于其他商业用途(如 [转卖]进行直接盈利或[编辑后售卖]进行间接盈利)。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。
3、如文档内容存在违规,或者侵犯商业秘密、侵犯著作权等,请点击“违规举报”。

碎片内容

领读文化+ 关注
实名认证
内容提供者

传播文化,铸就未来

确认删除?
VIP
微信客服
  • 扫码咨询
会员Q群
  • 会员专属群点击这里加入QQ群
客服邮箱
回到顶部