LED 生 产流程 LED 芯片的制造工艺流程 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质 InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前 LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 介绍： 金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968 年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED 芯片的制造工艺流程： 外延片→ 清洗→ 镀透明电极层→ 透明电极图形光刻 → 腐 蚀 → 去 胶 → 平 台 图形光刻 → 干法刻 蚀 → 去 胶 → 退 火 → SiO2 沉积→ 窗 口 图形光刻 → SiO2 腐 蚀 → 去 胶 → N 极图形光刻 → 预 清洗→ 镀膜→ 剥 离 → 退 火 → P 极图形光刻 → 镀膜→ 剥 离 → 研 磨 → 切 割 → 芯片→ 成品测 试 。 其 实 外延片的生产 制作 过 程是非 常 复 杂 的，在展完 外延片后 ，下 一步 就 开 始 对 LED 外延片做 电极（P 极，N 极），接 着 就 开 始 用激 光机切 割 LED 外延片（以 前切 割 LED 外延片主要用钻 石刀 ），制造成芯片后 ，在晶圆 上的不 同 位 置 抽 取 九 个 点 做 参 数 测 试 ，如 图所 示 ： 1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。 2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大 30 倍数的显微镜下进行目测。 3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。 4、最后对 LED 芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有 5000 粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于 1000 粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测...
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