防静电技术要求主题内容及适用范围本标准规定了电子设备研制生产全过程中,对静电放电危害的防护技术根本要 求,静电敏感器件的采购、检测、储存、运输、装配过程中的防静电操作要求,对 防静电工作区的治理以及人员教育培训等内容.本标准适用于研制、生产、维修电子设备的部门及采购、储运、检测电子元器 件,也适用于其它任何涉及静电敏感元器件的部门.1 术语静电：物体外表过剩或缺乏的静止电荷.静电放电：静电电场的能量到达一定程度后,击穿其间介质而进行放电的现象.英文缩写 ESD.静电敏感度：元器件所能承受的静电放电电压值.静电放电敏感〔的〕英文缩写 ESDS. 静电敏感器件：〔承受静电放电电压较低的器件〕对静电放电敏感的器件.泄放：将静电荷平安传导到地.中和：利用导性电荷〔异性离子〕使静电消失.静电导体：外表电阻率在 105〜108 Q 范围内的物体.接地：电气连接到能提供或接受大量电荷物体上.〔如大地、舰船或运载工具金属外壳.〕接地连接点英文缩写：EBP.防静电工作区：用各种防静电设施、器件及明确区域的界限形成的工作场地.〔用必要的防静电防护材料和设备建立和装备起来有明显标志的区域能防护静电损害.〕英文缩写：EPA.静电放电保护材料具备以下特征：1.10.1 预防产生摩擦起电.1.10.2 免受静电场的影响.1.10.3 预防与带电人体或带电物体接触而产生直接放电.静电放电损伤：由静电放电造成的电子元器件性能退化或功能失效.静电耗散材料：其外表电阻率等于或大于 1*105〜1012 Q 或体积电阻 104〜1011 Q 的材 料.2 静电放电造成电子元器件失效及对静电放电敏感性分类静电放电造成电子元器件失效：静电放电对电子元器件的损伤可造成功能失效和损伤.失效的主要机理有：a 热二次击穿b 金属镀层融熔c 介质击穿d 气弧放电e 外表击穿f 体击穿电子元器件易遭受静电放电损伤的敏感结构见附录 A〔参考件〕附录 A对 ESD 敏感的元器件组成局部元器件组成局部元器件类别失效机理失效标志MOS 结构MOSFET 〔分力的〕MOS 集成电路有金属跨接的半导体器件数字集成电路〔双极和 MOS〕线性集成电路〔双极和 MOS〕MOS 阻容器混合电路线性集成电路电 压 引 起 的 介 质 击 穿 和 接 着 发 生 的 大 电流现象短路〔漏电大〕半导体二极管〔PN、PIN、肖特基〕双极晶体管结型场效应晶体管可控硅数字、线性双极集成电路、输入保护电路：用于分力 MOS 场效应管 和MOS 集成电路由 过 剩 能 量 和 ...
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