学习资料精品文档自测题一一、判断题1．因为 P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）2．在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D ）。A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为 （ C ）。A ．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B ）。(X 轴为电压 )A ．右移B．左移C．上移D．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高， 二极管的正向导通电流将（ A ）。A ．增大B．减小C．不变D．不确定5．三极管β 值是反映（ B ）能力的参数。 （ 三极管可改 为电 流控制 电 流源）A ．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压6．温度升高时，三极管的值将（ A ）。A ．增大B．减少C．不变D．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。A ．电流放大系数B．最大整流电流C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为VU61，VU4.52，VU123，则对应该管的管脚排列依次是（B ） 。A ．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B ）运动形成的。A ．多数载流子B．少数载流子C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和 6.7V ，则此三极管是（D ）。（ 发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B．PNP 型锗管C．NPN 型锗管D． NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。A ．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极 s 之间电压为零时（B ）。A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移 。3． PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。4． PN 结加正向电压时，空间电荷区将变窄。5． PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被削弱...
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