读 万 卷 书行 万 里 路实用文档精心整理1 第二章晶体管及放大电路基础一、教学要求知 识 点教 学 要 求学时掌握理解 了解晶体管晶体管的结构√电流分配与放大作用√√晶体管的工作状态、伏安特性及主要参数√√放大电路基础放大电路的组成原则及工作原理√放大电路的主要技术指标√放大电路的分析方法图解法√静态工作点估算法√微变等效电路法√三种基本放大电路比较√静态工作点的选择与稳定√√多极放大电路耦合方式及直接耦合电路的特殊问题√分析计算方法√放大电路的频率响应频率响应的基本概念√√频率响应的分析计算方法√√二、重点和难点本章的重点是：晶体管的伏安特性、主要参数； 放大电路的组成原则及工作原理、静态工作点的近似估算法、 主要动态指标的微变等效电路分析法、静态工作点的选择与稳定、三种基本放大电路的特点；放大电路频率响应的基本概念及分析计算方法。读 万 卷 书行 万 里 路实用文档精心整理2 本章的难点是：放大电路频率响应的基本概念及分析方法。三、教学内容2.1 晶体管1. 晶体管的结构及类型晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称场效应管。晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区） 形成的两个 PN 结（发射结和集电结）组成，分别从三个区引出三个电极（发射极e、基极 b 和集电极 c）。晶体管根据掺杂类型不同，可分为 NPN 型和 PNP 型两种； 根据使用的半导体材料不同，又可分为硅管和锗管两类。晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄， 集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。2. 电流分配与放大作用晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。 在这种偏置条件下，发射区的多数载流子扩散到基区后，只有极少部分在基区被复合，绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压，可以达到控制集电极电流的目的。晶体管的电流分配关系如下：其中电流放大系数和之间的关系是=/(1＋)，=/（1－）； ICBO 是集电结反向饱和电流，ICEO 是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流，并且ICEO=(1 ＋)ICBO。在放大电路中，通过改变U BE，改变 I B 或 IE，由 Δ IB 或 Δ IE 产生 Δ IC，再通过集电极电阻RC，把电流的控制作用转化为电压的控制作用，产生Δ UO=Δ I...
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