一、填空题 1. 半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（电离杂质散射）和（晶格振动散射）。 2. 纯净半导体 Si 中掺 V 族元素的杂质，当杂质电离时释放（电子）。这种杂质称（施主）杂质；相应的半导体称（N）型半导体。 3. 当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（扩散）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（漂移）运动。 4. nopo=ni2 标志着半导体处于（热平衡）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积 nopo改变否？（不改变）；当温度变化时，nopo 改变否？（改变）。 5. 硅的导带极小值位于布里渊区的（<100>方向上），根据晶体对称性共有（6）个等价能谷。 6. n 型硅掺 As 后，费米能级向（Ec 或上）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（Ei 或下）移动。 7. 半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（增加），并使其光电导衰减规律（衰减时间延长）。 8. 若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（禁带宽度 Eg 增大）；若用砷的话，结果是（禁带宽度 Eg 减小）。 9. 已知硅的 Eg 为1.12 eV，则本征吸收的波长限为（1.11 微米）；Ge 的 Eg 为0.67 eV，则本征吸收的波长限为（1.85 微米）。 10. 复合中心的作用是（促进电子和空穴复合），起有效复合中心的杂质能级必须位于（Ei或禁带中心线），而对电子和空穴的俘获系数rn 或 rp 必须满足（rn=rp） 11. 有效陷阱中心位置靠近（EF 或费米能级） 12. 计算半导体中载流子浓度时，不能使用波尔兹曼统计代替费米统计的判定条件是（Ec-EF≤2koT 以及EF-EV≤2koT），这种半导体被称为（简并半导体）。 13. PN 结电容可分为（扩散电容）和（势垒电容）两种。 14. 纯净半导体 Si 中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在 Si 晶体的共价键中产生了一个（空穴），这种杂质称（受主）杂质；相应的半导体称（P）型半导体。 15. 半导体产生光吸收的方式（本征）、（激子）、（杂质）、（晶格振动）。半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（电导率）增加，可制成（光敏电阻）；在存在自建电场的半导体中产生（光生伏特），可制成（光电池）；光生载流子发生辐射复合时，伴随着（发射光子），这就是半导体的（发光）现象，利用这种现象可制成（发光管）。 16. 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢 k 不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（直接禁带半导体），否则称为（间接禁带半...
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