IGBT 模块T 字型-三电平电路拓扑和状态表： T 字型-三电平电路拓扑 1）拓扑中共有4 只IGBT，4 只二极管，还有电容组C1 和C2；假设正负母线电压均等，都是Vdc。 2）将 T1，T2，T3，T4 的状态用 1 和0 分别表示，1 表示开通，0 表示关断。 T 字型-三电平电路状态表 1）状态采用 16 进制表示； 2）稳定模态有3 种：C，6，3； 3）死区状态有2 种：4，2。死区状态的切换用黄色部分表示。 状态循环和电流流向： 在该拓扑中，IGBT 的所有开关状态的切换是循环的过程。 在该拓扑中，电流的流向分为两种情况： 朝内-蓝色箭头所示； 朝外-红色箭头所示。 由于这两种情况是对偶关系，所以在以下的分析中，我们假定电流流向朝外（红色箭头）。 状态C-1100： 状态 C-1100-->状态 4-0100： 状态 4-0100-->状态 6-0110： 状态 6-0110-->状态 2-0010： 状态 2-0010-->状态 3-0011： 状态 3-0011-->状态 2-0010： 状态 2-0010-->状态 6-0110： 状态 6-0110-->状态 4-0100： 状态4-0100-->状态C-1100： 小结： 经过以上对三电平拓扑中每个切换过程的分析，可以得出如下结论： IGBT 部分： 1）电流朝外流时：T1(C-->4)，T2(6-->2)在关断时会有电压尖峰。 2）电流朝内流时：T3(6-->4)，T4(3-->2)在关断时会有电压尖峰。 3）T1~T4 在关断时产生的电压尖峰，都是基于半个母线电压Vdc。但是由于 T1 管和 T4 管的阻断电压高，所以T1 管和 T4 管的关断电压应力风险相对较低；而 T2 管和 T3 管是低压管，所以T2 管和 T3 管的关断电压应力相对较大，这点需要特别注意。 二极管部分： 1）电流朝外流时：D3，D4 有续流。D3(4-->C)，D4(2-->6)反向恢复。 2）电流朝内流时：D1，D2 有续流。D1(4-->6)，D2(2-->3)反向恢复。 3）高阻断电压 D1 管和 D4 管在反向恢复时，是基于半个母线电压 Vdc，所以产生的峰值功率也相对较小；但是 D2 管和 D3 管由于阻断电压较低，在基于半个母线电压 Vdc 反向恢复时，产生的峰值功率会相对较大，这点需要特别注意。 双脉冲测试： 1）经过以上分析，我们知道 T 字型-三电平拓扑中四只 IGBT 都会存在关断电压尖峰，四只二极管都存在反向恢复行为。 2）为了确保系统中所有器件的安全性，我们需要利用双脉冲测试对各个器件进行评估。 双脉冲测试-T3&D1： 1）在“1”和“AC"之间加入电感 L。 2）T1，T2，T4 常关。 3）给 T3 管发双脉冲...
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