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TiO2光催化反应机理副本VIP专享VIP免费

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TiO2光催化反应机理 光催化反应基本途径 当能量大于TiO2禁带宽度的光照射半导体时,光激发电子跃迁到导带,形成导带电子(矿),同时在价带留下空穴(矿)。由于半导体能带的不连续性,电子和空穴的寿命较长,它们能够在电场作用下或通过扩散的方式运动,与吸附在半导体催化剂粒子表面上的物质发生氧化还原反应,或者被表面晶格缺陷俘获。空穴和电子在催化剂粒子内部或表面也可能直接复合。空穴能够同吸附在催化剂粒子表面的OH或H2O发生作用生成HO·。HO·是一种活性很高的粒子,能够无选择地氧化多种有机物并使之矿化,通常认为是光催化反应体系中主要的氧化剂。光生电子也能够与O2发生作用生成HO2·和O2-·等活性氧类,这些活性氧自由基也能参与氧化还原反应。该过程如图1(a)所示,可用如下反应式表示: HO·能与电子给体作用,将之氧化,矿能够与电子受体作用将之还原,同时h+也能够直接与有机物作用将之氧化: 光催化反应的量子效率?低(理论上不会超过20%)是其难以实用化的最为关键因素之一。光催化反应的量子效率取决于载流子的复合几率,载流子复合过程则主要取决于两个因素:载流子在催化剂表面的俘获过程和表面电荷迁移过程。增加载流子的俘获或提高表面电荷迁移速率能够抑制电荷载流子复合,增加光催化反应的量子效率。电子和空穴复合的速率很快,在TiO2表面其速率在10-9s以内,而载流子被俘获的速率相对较慢,通常在10-7~10-8s(Hoffmann,1995)。所以为了有效俘获电子或空穴, 俘获剂在催化剂表面的预吸附是十分重要的。 催化剂的表面形态、晶粒大小、晶相结构及表面晶格缺陷 均会影响载流子复合及电荷迁移过程。如果反应液中 存在一些电子受体能够及时与电子作用 ,通常能够抑制电子空穴的复合,如Elmorsi(2000) 发现溶液中含 10-3M的Ag+时,其光催化效率提高,原因在于Ag+作为电子受体与电子反应生成金属银,从而减少了空穴.电子对复合的几率。尽管通常认为电子被俘获的过程相对于载流子复合过程要慢得多,但Joseph(1998)等人发现当光强很弱时,在ns时间范围内电子吸收谱主要取决于电子在催化剂表面的俘获,而fs至ps范围以及ms以上时电子吸收谱则取决于载流子的复合,即在ns时间尺度电子被俘获的过程相对于电子.空穴复合的过程更具有优势,如果没有空穴俘获剂的存在,数ms后仍能测到电子的存在。光催化氧化反应体系的主要氧化剂究竟是HO·还是空穴,一直存在争论,许多学者认为HO·起主要作用(Turchi,1990;Sun,1996;Schwa...

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