零死角玩转STM32—F429第 968页 共 996第 50章读写内部 FLASH本章参考资料：《STM32F4xx参考手册》、《STM32F4xx规格书》、库说明文档《stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm》。50.1STM32的内部 FLASH简介在 STM32芯片内部有一个 FLASH存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH中，由于 FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部 FLASH中加载代码并运行，见图 50-1。图 50-1STM32的内部框架图除了使用外部的工具（如下载器）读写内部 FLASH外，STM32芯片在运行的时候，也能对自身的内部 FLASH进行读写，因此，若内部 FLASH存储了应用程序后还有剩余的空间，我们可以把它像外部 SPI-FLASH那样利用起来，存储一些程序运行时产生的需要掉电保存的数据。由于访问内部 FLASH的速度要比外部的 SPI-FLASH快得多，所以在紧急状态下常常会使用内部 FLASH存储关键记录；为了防止应用程序被抄袭，有的应用会禁止读写内部FLASH中的内容，或者在第一次运行时计算加密信息并记录到某些区域，然后删除自身的部分加密代码，这些应用都涉及到内部 FLASH的操作。1.内部 FLASH的构成STM32的内部 FLASH包含主存储器、系统存储器、OTP区域以及选项字节区域，它们的地址分布及大小见表 50-1。表 50-1STM32内部 FLASH的构成区域块名称块地址大小零死角玩转STM32—F429第 969页 共 996主存储器块 1扇区 00x08000000-0x08003FFF16Kbytes扇区 10x08004000-0x08007FFF16Kbytes扇区 20x08008000-0x0800BFFF16Kbytes扇区 30x0800C000-0x0800FFFF16Kbyte扇区 40x08010000-0x0801FFFF64Kbytes扇区 50x08020000-0x0803FFFF128Kbytes扇区 60x08040000-0x0805FFFF128Kbytes扇区 70x08060000-0x0807FFFF128Kbytes扇区 80x08080000-0x0809FFFF128Kbytes扇区 90x080A0000-0x080BFFFF128Kbytes扇区 100x080C0000-0x080DFFFF128Kbytes扇区 110x080E0000-0x080FFFFF128Kbytes块 2扇区 120x08100000-0x08103FFF16Kbytes扇区 130x08104000-0x08107FFF16Kbytes扇区 140x08108000-0x0810BFFF16Kbytes扇区 150x0810C000-0x0810FFFF16Kbyte扇区 160x08110000-0x0811FFFF64Kbytes扇区 170x08120000-0x0813FFFF128Kbytes扇区 180x08140000-0x0815FFFF128Kbytes扇区 190x08160000-0x0817FFFF128Kbytes扇区 200x08180000-0x0819FFFF128Kbytes扇区...
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