创作时间：二零二一年六月三十日创作时间：二零二一年六月三十日微电子封装技术发展趋势之蔡仲巾千创作创作时间：二零二一年六月三十日电子产物正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展, 这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求, 单元体积信息的提高 ( 高密度 ) 和单元时间处置速度的提高( 高速化 ) 成为增进微电子封装技术发展的重要因素. 片式元件：小型化、高性能片式元件是应用最早、产量最年夜的概况组装元件. 它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器 , 这是开发和应用最早和最广泛的片式元件. 随着工业和消费类电子产物市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、平安性和电磁兼容性的需求, 对电子电路性能不竭地提出新的要求, 片式元件进一步向小型化、多层化、年夜容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展. 在铝电解电容和钽电解电容片式化后, 现在高 Q值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场；介质厚度为10um的电容器已商品化, 层数高达 100 层之多；呈现了片式多层压敏和热敏电阻, 片式多层电感器 , 片式多层扼流线圈 , 片式多层变压器和各种片式多层复合元件；在小型化方面 , 规格尺寸从3216→2125→1608→1005 发展 , 目前最新呈现的是 0603( 长 0.6mm, 宽 0.3mm), 体积缩小为原来的0.88%. 集成化是片式元件未来的另一个发展趋势, 它能减少组装焊点数创作时间：二零二一年六月三十日创作时间：二零二一年六月三十日目和提高组装密度, 集成化的元件可使Si 效率 ( 芯片面积 / 基板面积) 到达 80%以上 , 并能有效地提高电路性能. 由于不在电路板上装置年夜量的分立元件, 从而可极年夜地解决焊点失效引起的问题. 芯片封装技术：追随IC 的发展而发展数十年来 , 芯片封装技术一直追随着IC 的发展而发展 , 一代IC 就有相应一代的封装技术相配合, 而 SMT的发展 , 更加增进芯片封装技术不竭到达新的水平. 六七十年代的中、小规模IC, 曾年夜量使用TO型封装 , 后来又开发出DIP、PDIP, 并成为这个时期的主导产物形式. 八十年代呈现了 SMT, 相应的 IC 封装形式开发出适于概况贴装短引线或无引线的 LCCC、PLCC、SOP等结构 . 在此基础上 , 经十多年研制开发的 QFP不单解决了LSI 的封装问题 , 而且适于使用SMT在 PCB或 其他基板上概况贴装, 使 QFP终于成为 SMT主导电子产物并延续至今 . 为了适应...
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