1 新型辅助蒸发镀（等）离子源 --微波ECR 单栅离子源介绍 合肥研飞电器科技有限公司 一、离子辅助蒸发镀膜技术 真空蒸发是制备介质薄膜的主要方法，它历史悠久，工艺成熟，使用广泛。但是同时也存在严重的缺陷:产品质地疏松、牢固性差、容易损坏。 离子辅助蒸发镀膜是以荷能离子为特征的近代镀膜新工艺，参见图 1-1。在镀膜之前进行清洗， 在镀膜中进行辅助沉积薄膜， 使得薄膜产品的性能及力学性能得到大幅提高。这种新工艺适合镀增透膜、眼镜镀膜、光纤光学镀、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器和类金刚石沉积等。 宽束离子源是离子辅助蒸发镀膜技术的关键。实际上，通常意义上的离子源包含了等离子束源和离子束源。 等离子束源：离子能量是分布式的 （数十到数百eV 可调），束较 宽，散 角 达 几 十度 （参见图 1）。离子束源：离子能量是单能，从 图 1 -1 离子辅助镀膜示 意图。 2 100eV-2000eV 可调；束较窄，散角仅几度。从源结构，操控，维护和性价比几方面来比较，人们总是希望选择等离子束源。 二、辅助蒸发镀（等）离子源的研发进程 在很长一段时间里，直流激励热阴极 Kuafmna 离子源[1]（参见图 2-1）是镀膜设备的标准装备。但 Kuafmna 离子源用热阴极，存在杂质污染，需频繁更换；不能使用与氧、氮等反应气体；用多栅极加速，操控较难，使用成本较高。近年来，许多企业为了降低成本，逐步将其淘汰。在低端产生中通常使用阴极引出的霍尔（Hall）源[2],参见图 2-2；在高端产生中使用 APS(Advanced Plasma Source)[3]，参见图 2-3。 图 2-1 考夫曼源示意图。 3 霍 尔 源 的 缺 点 很 明 显 ： (1)由 于 离 子 的 溅 射 ， 阴 极 灯 丝 (钨 )对 膜 层 产 生 金 属污 染 很 严 重 ， 实 验 己 经 发 现 ， 随 着 离 子 能 量 和 束 流 强 度 的 增 加 ， 薄 膜 中 钨 的 含 量也 增 加 。 介 质 膜 中 的 金 属 会 显 著 增 加 膜 的 消 光 系 数 (或 吸 收 系 数 )， 对 于 要 求 较 高的 场 合 ， 这 种 污 染 必 需 消 除 。 (2)灯 丝 使 用 寿 命 短 ， 维 护 量 大 ， 并 且 只 能 用 惰 性气 体 ， 反 应 气 体 会 使 灯 丝 的 寿 命 大 大 缩 短 。 为 了 消 除 污 染 和 延 长 寿 命 ， 德 国 ...
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