晶体硅太阳电池制造关键工艺表面化学处理目的：※去除硅片表面由于切割而产生的机械损伤层，正反二表面各约10m；※在硅片表面形成尖峰高度3～6m四方锥体绒面，间接增加电池对入射太阳光的吸收；※清除硅片表面的油...
时间:2024-11-04 06:41栏目:综合大类
