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半导体化学清洗总结

化学清洗总结1.3各洗液的清洗说明;1.3.1SC-1洗液;1.3.1.1去除颗粒;硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6mm;①自然氧化膜约0.6nm厚,其与NH4OH、H2;②SiO2的腐蚀速度随NH4OH的浓度升高而加快;③Si的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升...

时间:2024-09-28 13:09栏目:党建公文

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